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BAP64-06	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP64-06	文件：678.66 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURES ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAP64-06	文件：87.95 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinaSOT23smallplasticSMDpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06	文件：51.52 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPINdiode	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06	文件：37.95 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPINdiode ■Features ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-06-HF	文件：1.1892 Mbytes Page：3 Pages	PINDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAP64-06W	文件：63.96 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINdiode DESCRIPTION TwoplanarPINdiodesincommonanodeconfigurationinaSOT323smallSMDplasticpackage. FEATURES •Highvoltage,currentcontrolled •RFresistorforRFattenuatorsandswitches •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance •Lowseriesinductance •Forapplications	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAP64-06W	文件：650.4 Kbytes Page：5 Pages	PinDiode PinDiode FEATURE ●Highvoltage,currentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorsandswitches ●Lowdiodecapacitance ●Lowdiodeforwardresistance ●Lowseriesinductance ●Forapplicationsupto3GHz APPLICATION ●RFattenuatorsandswitches	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
BAP64-06W	文件：9.37507 Mbytes Page：130 Pages	RFManual16thedition Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAP64-06W	文件：517.13 Kbytes Page：3 Pages	Lowdiodecapacitance Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignatesRoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Lowdiodecapacitance •Lowdiodeforwardresistance	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAP64-06W	文件：299.6 Kbytes Page：2 Pages	GeneralPurposePinDiodes200mW	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BAP64-06WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECELECTRONICS SEC Electronics Inc.	SECELECTRONICS
BAP64-06WS	文件：140.65 Kbytes Page：2 Pages	SmallSignalGeneralPurposePiNDiode	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BAR64-06	文件：494.53 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPINDiode SiliconPINDiodes •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto3GHz •Lowresistanceandlongcarrierlifetime •Verylowcapacitanceatzerovoltsreversebiasatfrequenciesabove1GHz •Verylowsignaldistortion	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：269.71 Kbytes Page：16 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：41.33 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPINDiode Features ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAR64-06	文件：1.72559 Mbytes Page：4 Pages	PINDiodes	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAR64-06	文件：1.01163 Mbytes Page：16 Pages	HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches SiliconPINDiode •HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswitches •Frequencyrangeabove1MHzupto6GHz •Verylowcapacitanceatzerovoltreversebiasatfrequenciesabove1GHz(typ.0.17pF) •Lowforwardresistance(typ.2.1Ω@10mA) •Verylowsignald	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BAR64-06	文件：89.48 Kbytes Page：4 Pages	SiliconPINDiode(HighvoltagecurrentcontrolledRFresistorforRFattenuatorandswirchesFreqencyrangeabove1MHz) SiliconPINDiode ●Highvoltagecurrentcontrolled ●RFresistorforRFattenuatorandswirches ●Freqencyrangeabove1MHz ●Lowresistanceandshortcarrierlifetime ●Forfrequenciesupto3GHz	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BAR64-06	文件：1.05707 Mbytes Page：15 Pages	SiliconPINDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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更多BRA64-06供应商更新时间2024-9-25 13:30:00

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