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BS170	文件：77.57 Kbytes Page：4 Pages	TMOS FET Switching(N-Channel-Enhancement) TMOSFETSwitching N–Channel—Enhancement	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BS170	文件：49.71 Kbytes Page：8 Pages	N-channel vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinTO-92variantenvelopeandintendedforuseinrelay,high-speedandline-transformerdrivers. FEATURES •VerylowRDS(on). •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. •High-speedswitching. •Nosecondarybreakdow	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BS170	文件：51.23 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS170	文件：75.64 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.Theycanb	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BS170	文件：66.37 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE TRANSISTOR Features •HighInputImpedance •FastSwitchingSpeed •CMOSLogicCompatibleInput •NoThermalRunawayorSecondaryBreakdFeatures	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BS170	文件：233.09 Kbytes Page：5 Pages	DMOS Transistors (N-Channel) FEATURES ♦Highinputimpedance ♦High-speedswitching ♦Nominoritycarrierstoragetime ♦CMOSlogiccompatibleinput ♦Nothermalrunaway ♦Nosecondarybreakdown	GE GE Industrial Company	GE
BS170	文件：52.79 Kbytes Page：4 Pages	Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingONSemiconductorsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Theseproductshavebeendesignedtominimizeon-stateresistancewhileproviderugged,reliable,andfastswitchingperformance.The	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BS170	文件：77.94 Kbytes Page：7 Pages	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level) •Nchannel •Enhancementmode •LogicLevel •VGS(th)=0.8...2.0V	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BS170	文件：64.519 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES ●LowOn-Resistance:2.5Ω ●LowThreshold:2.1V ●LowInputCapacitance:22pF ●FastSwitchingSpeed:7ns ●LowInputandOutputLeakage BENEFITS ●LowOffsetVoltage ●Low-VoltageOperation ●EasilyDrivenWithoutBuffer ●High-SpeedCircuits ●LowErrorVoltage APPLICATI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BS170	文件：68.91 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
BS170
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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