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厂商型号	BS170
功能描述	N-channel vertical D-MOS transistor
文件大小	49.71 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	PHI
中文名称	飞利浦
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2026-1-26 18:18:00
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BS170规格书详情

DESCRIPTION

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in TO-92 variant envelope and intended for use in relay, high-speed and line-transformer drivers.

FEATURES

• Very low RDS(on).

• Direct interface to C-MOS, TTL, etc.

• High-speed switching.

• No secondary breakdown.

产品属性

型号：
BS170
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市润联芯城科技有限公司	BS170	ON/安森美	23+	SOT-23	50000	原装正品支持实单	询价
深圳市振宏微科技有限公司	BS170	ON	23+	TO-92	10000	原装现货	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	BS170	MOT	23+		14600		询价
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