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BSO303SP

OptiMOS -P Small-Signal-Transistor

文件:83.31 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

BSO303SPH

OptiMOS-P Power-Transistor

文件:338.49 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO303SP

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS MOSFET, -30V, SO-8

Infineon

英飞凌

BSO303SP H

20V-250V P-Channel Power MOSFET

英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求,例如导通电阻特性和品质因数特性。 • 增强模式\n• 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平\n• 雪崩评级\n• 无铅镀层;符合 RoHS\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Package :

    SO-8

  • VDS max:

    -30.0V

  • RDS (on) max:

    21.0mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max:

    31.0mΩ

  • ID  max:

    -9.1A

  • Ptot max:

    1.56W

  • IDpuls max:

    -36.0A

  • VGS(th) min max:

    -1.0V -2.0V

  • QG :

    -40.0nC 

  • Rth :

    110.0K/W 

  • Ciss :

    1750.0pF 

  • Coss :

    470.0pF 

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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更多BSO303SP供应商 更新时间2025-10-13 11:29:00