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BSO4410	文件：110.66 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
C4410	文件：73.74 Kbytes Page：1 Pages	3C22SOLIDBCPVCNSPVCSound,Alarm&SecurityCable	GENERALGeneral Cable Technologies Corporation 通用电气公司美国通用电气公司	GENERAL
CEM4410	文件：497.59 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,10A,RDS(ON)=13.8mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=20mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Surfacemountpackage.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEM4410A	文件：496.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CHM4410AJPT	文件：308.29 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHM4410BJPT	文件：322.84 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJD4410	文件：461.53 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJD4410	文件：436.83 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJQ4410	文件：686.14 Kbytes Page：3 Pages	Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJQ4410	文件：2.37609 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
BSO4410
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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