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BSO4410

OptiMOS Small-Signal-Transistor

文件:110.66 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

BSO4410

Low Voltage MOSFETs - OptiMOS Small Signal MOSFET, 30V, SO-8, RDSon = 13mOhm, 11A, LL

Infineon

英飞凌

C4410

3C 22 SOLID BC PVC NS PVC Sound, Alarm & Security Cable

文件:73.74 Kbytes 页数:1 Pages

GENERAL

通用电缆

CEM4410

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 30V, 10A, RDS(ON) = 13.8mΩ @VGS = 10V. RDS(ON) = 20mΩ @VGS = 4.5V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ Surface mount package.

文件:497.59 Kbytes 页数:5 Pages

CET

华瑞

CEM4410A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:496.94 Kbytes 页数:5 Pages

CET

华瑞

详细参数

  • 型号:

    BSO4410

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    OptiMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

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更多BSO4410供应商 更新时间2025-10-11 14:37:00