| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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Infineon/英飞凌SOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SOP8 |
7906200 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
13222 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌SO-8 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8848 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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InfineoSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONSOP-8 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
614 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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INFINEONSOP8 |
614 |
0352+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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InfineonSOP-8 |
9852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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InfineonDIP |
5600 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优惠 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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InfineonSOP8 |
8890 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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Infineon/Infineon TechnologiesSOP-8 |
13222 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEONSOP8 |
37589 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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InfineonSOP-8 |
18000 |
23+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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InfineonSOP8 |
21322 |
2339+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SOP-8 |
100 |
23+ |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEONSOP-8 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
BSO4410采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
BSO4410图片
BSO4410中文资料Alldatasheet PDF
更多BSO4410功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
BSO4410NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-Pin SO T/R
BSO4410T功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
