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BSO613SPV

SIPMOS Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSO613SPVG

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSP613P

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSP613P

SIPMOSSmall-Signal-Transistor

SIPMOSSmall-Signal-Transistor Feature •P-Channel •Enhancementmode •Avalancherated •dv/dtrated •Idealforfastswitchingbuckconverter •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •Halogen­freeaccordingtoIEC61249­2­21

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

BSP613P

SIPMOS횘Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

CL613

HeavycastaluminumtopcoverwithintegralLEDheatdissipatingpad

LUMINIS

Lumins Inc.

CMN613

788MHzBandRejectFilter

APITECH

API Technologies Corp

CSD-613D

NUMERIC/ALPHANUMBERICDISPLAYGENERALINFORMATION

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

CSD-613E

NUMERIC/ALPHANUMBERICDISPLAYGENERALINFORMATION

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

CSD-613EG

NUMERIC/ALPHANUMBERICDISPLAYGENERALINFORMATION

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

详细参数

  • 型号:

    BSO613SPV

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH 60V 3.44A DSO-8

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    SIPMOS®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON
2017+
SOP-8
37500
原装正品,诚信经营
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Infineon(英飞凌)
23+
N/A
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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Infineon
10+
SOP-8
7800
全新原装正品,现货销售
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SOP-8P
300
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更多BSO613SPV供应商 更新时间2022-6-12 10:12:00