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|---|---|---|---|---|
BSO4420 | OptiMOS Small-Signal-Transistor 文件：98.59 Kbytes 页数：8 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
BSO4420 | Low Voltage MOSFETs - OptiMOS Small Signal MOSFET, 30V, SO-8, RDSon = 7.8mOhm, 13A, LL | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
N-channel enhancement mode field-effect transistor Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™1 technology. Product availability: Si4420DY in SOT96-1 (SO8). Features ■ Low on-state resistance ■ Fast switching ■ TrenchMOS™ technology. Applications ■ DC to DC convertors ■ DC motor 文件：254.01 Kbytes 页数：12 Pages | PHI PHI | PHI | ||
6A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS 文件：64.75 Kbytes 页数：5 Pages | TELCOM | TELCOM | ||
Resistor LED for 12 V Supply Voltage 文件：107.03 Kbytes 页数：9 Pages | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | VISHAY |
详细参数
- 型号：
BSO4420
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOP-8 |
33600 |
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INFINEON/英飞凌 |
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SOP-8 |
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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