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BLC10G19XS-601AVT	文件：1.45258 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1930MHzto1995MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22LS-240PVT	文件：1.64433 Mbytes Page：17 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 240WLDMOSpowertransistorwithenhancedvideobandwidthforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2200MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Excellentvideobandwidthenablingfullbandoperation Highefficiency Lowthermalresist	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-301AVT	文件：1.75993 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 300WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2170MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-400AVT	文件：1.75586 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 400WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2200MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-401AVT	文件：1.27814 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability LoweroutputcapacitanceforimprovedperformanceinDohertyapplications Designedforlowmemoryeffectsprovidingexcellentdigitalpre-distortioncapability 	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-551AVT	文件：1.59758 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 550WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2100MHzto2200MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-570AVT	文件：1.44975 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 570WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2180MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-600AVT	文件：1.57513 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2170MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-602AVT	文件：1.34536 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2170MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G22XS-603AVT	文件：1.34553 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2110MHzto2170MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon

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技术参数

OutputVoltage：
12(15)V
OutputCurrent：
0 to 500(400)mA
Power：
6W
PackageType：
SMD
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
8mVpp
Efficiency：
80%
Size(mm)：
23.2x21.1x10.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BLC6G27LS100	PHLP	24+		52		询价
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