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BLC6G22LS-130	文件：51.78 Kbytes Page：9 Pages	UHF power LDMOS transistor Generaldescription 130WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom2000MHzto2200MHz. Features ■Typical2-carrierW-CDMAperformanceatfrequenciesof2110MHzand2170MHz,a supplyvoltageof28VandanIDqof950mA: ◆Outputpower=30W(AV)	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
BLC8G21LS-160AV	文件：1.3166 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 160WLDMOStransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom1805MHzto 2025MHz. Featuresandbenefits Designedforbroadbandoperation(1805MHzto2025MHz) Decouplingleadstoenableimprovedvideobandwidth Excellentruggedness Highefficiency	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9G21LS-60AV	文件：1.73904 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 60WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1805MHzto2200MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Asymmetricdesi	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9G22LS-160VT	文件：1.60016 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 160WLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom 2110MHzto2200MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Excellentvideo-bandwidthenablingfullbandoperation Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstabi	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9G27XS-380AVT	文件：1.67584 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 380WLDMOSpackagedasymmetricalDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom2496MHzto2690MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Decouplingl	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9H10XS-350A	文件：1.89778 Mbytes Page：18 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 350WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom617MHzto960MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputcap	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9H10XS-500A	文件：1.89533 Mbytes Page：17 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 500WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom617MHzto960MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputcap	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9H10XS-505A	文件：1.25959 Mbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 500WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom617MHzto960MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputcap	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9H10XS-600A	文件：1.7656 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom616MHzto960MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputcap	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC9H10XS-606A	文件：1.1615 Mbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom616MHzto960MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputcap	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon

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技术参数

OutputVoltage：
12(15)V
OutputCurrent：
0 to 500(400)mA
Power：
6W
PackageType：
SMD
Withstandvoltage：
AC500V
RippleNoise：
8mVpp
Efficiency：
80%
Size(mm)：
23.2x21.1x10.0

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BLC6G27LS100	PHLP	24+		52		询价
深圳市益百分电子有限公司	BLC5VD323CA	BG	2013+	SOD323	90000	全新原装进口自己库存优势	询价
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