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BLC	文件：246.92 Kbytes Page：5 Pages	PCB Mount Power Film Capacitors	CDE Cornell Dubilier Electronics	CDE
BLC	文件：105.48 Kbytes Page：2 Pages	Space-saving Two-wire Signal Conditioners B-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
BLC03C-4	文件：2.4166 Mbytes Page：4 Pages	Marking：BLCDA03C-4；Package：SOP-08；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection Feature 507WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20μs) ProtectsFourBidirectionalI/Olines LowClampingVoltage Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent IEC61000-4-2(ESD)±30kV(air),±30kV(contact) IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ηs) IEC61000-4-5(LIGHTING)26A(8/20μs) Applications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
BLC03C-4S	文件：2.25528 Mbytes Page：4 Pages	Marking：BLCDA03C-4；Package：SOP-08；Transient Voltage Suppressors for ESD Protection Feature MoistureSensitivityLevel(MSL-1) AEC-Q101qualified 500WattsPeakPulsePowerperLine(tp=8/20μs) ProtectsfourbidirectionalI/Olines Lowclampingvoltage Workingvoltage:3.3V Lowleakagecurrent Applications High-SpeedDataLines MicroprocessorBasedEquipment Test&	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
BLC10G15XS-301AVT	文件：1.68723 Mbytes Page：13 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 350WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1452MHzto1492MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G16XS-600AVT	文件：1.57374 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 600WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1427MHzto1518MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G18XS-301AVT	文件：1.98363 Mbytes Page：14 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 300WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1805MHzto1880MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G18XS-360AVT	文件：1.67523 Mbytes Page：15 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 360WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1805MHzto1880MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G18XS-400AVT	文件：1.7535 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 400WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1805MHzto1880MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon
BLC10G18XS-550AVT	文件：1.61837 Mbytes Page：16 Pages	Power LDMOS transistor Generaldescription 550WLDMOSpackagedasymmetricDohertypowertransistorforbasestation applicationsatfrequenciesfrom1805MHzto1880MHz. Featuresandbenefits Excellentruggedness Highefficiency Lowthermalresistanceprovidingexcellentthermalstability Loweroutputc	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon

详细参数

型号：
BLC
制造商：
Fuji Electric

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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