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BLC10G22XS-400AVT分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

BLC10G22XS-400AVT
厂商型号

BLC10G22XS-400AVT

参数属性

BLC10G22XS-400AVT 封装/外壳为SOT-1258-4;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

功能描述

Power LDMOS transistor
BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

文件大小

1.75586 Mbytes

页面数量

16

生产厂商 Ampleon USA Inc.
企业简称

Ampleon安谱隆

中文名称

安谱隆半导体(合肥)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-14 20:22:00

BLC10G22XS-400AVT规格书详情

General description

400 W LDMOS packaged asymmetric Doherty power transistor for base station

applications at frequencies from 2110 MHz to 2200 MHz.

Features and benefits

 Excellent ruggedness

 High efficiency

 Low thermal resistance providing excellent thermal stability

 Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

 Designed for low memory effects providing excellent digital pre-distortion capability

 Internally matched for ease of use

 Integrated ESD protection

 For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website

Applications

 RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the 2110 MHz to

2200 MHz frequency range

BLC10G22XS-400AVT属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。安谱隆半导体(合肥)有限公司制造生产的BLC10G22XS-400AVT晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

  • 产品编号:

    BLC10G22XS-400AVTZ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    2.11GHz ~ 2.2GHz

  • 增益:

    17dB

  • 额定电流(安培):

    2.8µA

  • 功率 - 输出:

    400W

  • 封装/外壳:

    SOT-1258-4

  • 供应商器件封装:

    SOT1258-4

  • 描述:

    BLC10G22XS-400AVT/SOT1258/TRAY

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