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AOU412L	文件：70.53 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOU412usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandlowgateresistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasahighsideswitchinCPUcorepowerconversion.StandardProductAOU412isPb-free(meetsROHS&Sony259specificatio	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOWF412	文件：502.78 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AQY412EH	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQY412EHA	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQY412EHAX	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
AQY412EHAZ	文件：81.93 Kbytes Page：3 Pages	NormallyclosedDIP4-pineconomictypewithreinforcedinsulationModem FEATURES 1.Highcost-performancetypeof PhotoMOS1FormBoutput 2.Lowon-resistance Thishasbeenrealizedthankstothe built-inMOSFETprocessedbyour proprietarymethod,DSD(Double diffusedandSelectiveDoping)method. 3.Reinforcedinsulationof5,000V Moret	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
ASJ412	文件：156.79 Kbytes Page：1 Pages	2.6mm&3.5mmAUDIOJACKSSTEREO&MONOEARPHONEJACKS	ADAM-TECHAdam Technologies, Inc. 亚当科技亚当科技股份有限公司	ADAM-TECH
ASTMD412	文件：373.23 Kbytes Page：1 Pages	TechsilConductiveElastomer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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ASTMD412	文件：516.1 Kbytes Page：1 Pages	TechsilConductiveElastomer	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
AOU412L
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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