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AOU4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V 4A a MOS Power Transistor 文件：457.25 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOU4S60	文件：318.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：318.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOU4S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 4A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOW4S60	文件：290.38 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability thes 文件：290.38 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW4S60	文件：344.51 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot 文件：344.51 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOWF4S60	文件：290.38 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability thes 文件：290.38 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO251
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
4
PD @ 25°C (W)：
56.80
10V：
900
Qg (10V)(nC)：
6
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
263
Coss (pF)：
21
Crss (pF)：
0.75
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
18
tD(off) (ns)：
40
Trr (ns)：
177
Qrr (nC)：
1500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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