AOW4S60中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
AOW4S60规格书详情
DESCRIPTION
• Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
FEATURES
• Drain Current –ID=4A@ TC=25℃
• Drain Source Voltage-
: VDSS=600V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.9Ω (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号:
AOW4S60
- 功能描述:
MOSFET N-CH 600V 4A TO262
- RoHS:
是
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
aMOS™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
NA/ |
2650 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
AOS |
13+;12+ |
TO-262 |
3500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
AOS/万代 |
22+ |
TO262 |
25000 |
AOS/万代全系列在售 |
询价 | ||
AOS |
22+ |
TO262 |
218000 |
十年以上分销商原装进口件服务型 |
询价 | ||
AOS/万代 |
25+ |
TO-262 |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
询价 | ||
AOS |
24+ |
TO-262 |
10000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
AOS/万代 |
21+ |
TO-262 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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AOS/万代 |
2048+ |
TO-262 |
9851 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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AOS/万代 |
23+ |
TO262 |
30000 |
原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
AOS/万代 |
23+ |
TO-262 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 |