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AOWF4S60

600V 4A a MOS TM Power Transistor

General Description The AOW4S60 & AOWF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability thes

文件:290.38 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOWF4S60

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V 4A αMOS™ Power Transistor

AOS

美国万代

SMA4S60AH

400W, 12V ??60V Surface Mount Transient Voltage Suppressor

文件:333.03 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

T4S60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10848 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Package:

    TO262F

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    4

  • PD @ 25°C (W):

    83

  • 10V:

    900

  • Qg (10V)(nC):

    6

  • VGS(th) max (V):

    4.10

  • Ciss (pF):

    263

  • Coss (pF):

    21

  • Crss (pF):

    0.75

  • Qgd (nC):

    1.80

  • tD(on) (ns):

    18

  • tD(off) (ns):

    40

  • Trr (ns):

    177

  • Qrr (nC):

    1500

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOWF4S60供应商 更新时间2025-12-7 16:04:00