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T4S60	文件：1.10848 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
4S60	文件：48.89 Kbytes Page：4 Pages	Materialspecification	FERROXCUBEFERROXCUBE INC. 飞利浦飞利浦元件公司	FERROXCUBE
AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60	文件：1.10793 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB4S60	文件：299.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60L	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60L	文件：1.10697 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOD4S60	文件：310.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	T-4S63T-50	TELEDYNE	24+	SMA	1		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	T4SB20F	ZV	23+	SOP-4	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
瑞航达科技(深圳)有限公司	T4SCLF-10+	Mini-Circuits			638	原装正品	询价
深圳市益百分电子有限公司	T4SPI	PHI	QFP32	01+	2	全新原装进口自己库存优势	询价
上海意淼电子科技有限公司	T4SPI	PHI	23+	QFP32	20000	全新原装假一赔十	询价
深圳市佳杰伟业科技有限公司	T4V10H355-11Z	施耐德	2502+	NA	680	优势代理渠道原装现货可全系列订货	询价
深圳市实中创科技有限公司	T4W2-F01C7-P	ELATEC RFID Systems	23+	TO-18	12800	原装正品代理商最优惠价格,现货或订货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	T4ZB475K010CRLB4900	Kyocera AVX	24+	1505	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	T4二极管	JXND	23+	SOD-323	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	T4二极管	JXND	24+	SOD-323	60000	全新原装现货	询价

更多T4S60供应商更新时间2025-7-21 15:30:00

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