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AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS Power Transistor General Description The AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：301.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS TM Power Transistor General Description The AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：301.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOB4S60	文件：299.55 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID=4A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.9Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot 文件：299.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOB4S60	文件：1.10793 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10793 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB4S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 4A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOB4S60L	文件：1.10697 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction 文件：1.10697 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
AOB4S60L	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V 4A a MOS TM Power Transistor General Description The AOT4S60 & AOB4S60 & AOTF4S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche c 文件：301.91 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO263
Configuration：
Single
Polarity：
N
ESD Diode：
No
VDS (V)：
600.00
VGS (±V)：
30.00
ID @ 25°C (A)：
4.00
PD @ 25°C (W)：
83.00
10V：
900.00
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
263.00
Coss (pF)：
21.00
Crss (pF)：
0.75
Qg (10V)(nC)：
6.00
Qgd (nC)：
1.80
tD(on) (ns)：
18.00
tD(off) (ns)：
40.00
Trr (ns)：
177.00
Qrr (nC)：
1500.00
Qualification：
Industrial
Tj max (°C)：
150.00

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