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SMA4S60AH	文件：333.03 Kbytes Page：6 Pages	400W, 12V ??60V Surface Mount Transient Voltage Suppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SMA4S60AH	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-128；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 60VWM 97.4VC SOD128	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
4S60	文件：48.89 Kbytes Page：4 Pages	Materialspecification	FERROXCUBEFERROXCUBE INC. 飞利浦飞利浦元件公司	FERROXCUBE
AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60	文件：1.10793 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOB4S60	文件：299.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=4A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lot	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB4S60	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60L	文件：301.91 Kbytes Page：6 Pages	600V4AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOT4S60&AOB4S60&AOTF4S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchec	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB4S60L	文件：1.10697 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOD4S60	文件：457.25 Kbytes Page：7 Pages	600V4AaMOSPowerTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD

产品属性

产品编号：
SMA4S60AH
制造商：
Taiwan Semiconductor Corporation
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
60V
电压 - 击穿（最小值）：
67.1V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
97.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
4.1A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
汽车级
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOD-128
供应商器件封装：
SOD-128
描述：
TVS DIODE 60VWM 97.4VC SOD128

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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