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AOW12N65

650V, 12A N-Channel MOSFET

文件:246.45 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOW12N65

丝印:I2PAK;Package:TO-262;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:342.33 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOW12N65

高压MOSFET (500V - 1000V)

650V, 12A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOWF12N65

650V, 12A N-Channel MOSFET

文件:246.45 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

BRF12N65

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220FL Plastic Package

文件:1.43173 Mbytes 页数:6 Pages

FOSHAN

蓝箭电子

CEB12N65A

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. RoHS compliant.

文件:525.04 Kbytes 页数:5 Pages

CET-MOS

华瑞

技术参数

  • Package:

    TO262

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    650

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    12

  • PD @ 25°C (W):

    278

  • 10V:

    720

  • Qg (10V)(nC):

    39.80

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    1792

  • Coss (pF):

    152

  • Crss (pF):

    11.50

  • Qgd (nC):

    16.80

  • tD(on) (ns):

    36

  • tD(off) (ns):

    120

  • Trr (ns):

    375

  • Qrr (nC):

    7500

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS/万代
2019+
NA
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原厂渠道 可含税出货
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更多AOW12N65供应商 更新时间2026-1-21 16:03:00