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AOW25S65	文件：271.38 Kbytes Page：6 Pages	650V 25A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW25S65 & AOWF25S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：271.38 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW25S65	文件：342.79 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 25A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.19Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：342.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW25S65	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 650V 25A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOWF25S65	文件：271.38 Kbytes Page：6 Pages	650V 25A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW25S65 & AOWF25S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：271.38 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
650
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
25
PD @ 25°C (W)：
357
10V：
190
Qg (10V)(nC)：
26.40
VGS(th) max (V)：
4
Ciss (pF)：
1278
Coss (pF)：
87
Crss (pF)：
1.40
Qgd (nC)：
9.50
tD(on) (ns)：
29
tD(off) (ns)：
112
Trr (ns)：
408
Qrr (nC)：
8270
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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