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AOW12N50

500V, 12A N-Channel MOSFET

文件:287.34 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOW12N50

丝印:I2PAK;Package:TO-262;isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:342.11 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOW12N50

高压MOSFET (500V - 1000V)

500V, 12A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOWF12N50

500V, 12A N-Channel MOSFET

文件:287.34 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

FDB12N50

N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65廓

Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. Features • RDS(on) = 0.55Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 6A • Low gate charge ( Typ. 22nC) • Low Crss ( Typ. 12pF) • Fast switching • 100 avalan

文件:366.6 Kbytes 页数:9 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

FDB12N50

Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction

文件:438.39 Kbytes 页数:8 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

技术参数

  • Package:

    TO262

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    500

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    12

  • PD @ 25°C (W):

    250

  • 10V:

    520

  • Qg (10V)(nC):

    30.70

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    1361

  • Coss (pF):

    167

  • Crss (pF):

    12.60

  • Qgd (nC):

    13

  • tD(on) (ns):

    29

  • tD(off) (ns):

    82

  • Trr (ns):

    231

  • Qrr (nC):

    2820

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
AOS/万代
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TO262
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更多AOW12N50供应商 更新时间2026-1-21 16:03:00