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AOWF12N50	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 500V, 12A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOWF12N50	文件：287.34 Kbytes Page：6 Pages	500V, 12A N-Channel MOSFET 文件：287.34 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
FQB12N50	文件：617.23 Kbytes Page：9 Pages	500V N-Channel MOSFET General Description These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withs 文件：617.23 Kbytes 页数：9 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
ZXT12N50DXTA	文件：258.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equivale 文件：258.81 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXT12N50DXTC	文件：258.81 Kbytes Page：6 Pages	DUAL 50V NPN SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR DESCRIPTION This new 4th generation ultra low saturation transistor utilises the Zetex matrix structure combined with advanced assembly techniques to give extremely low on state losses. This makes it ideal for high efficiency, low voltage switching applications. FEATURES • Extremely Low Equivale 文件：258.81 Kbytes 页数：6 Pages	ZETEX	ZETEX

技术参数

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
500
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
28
10V：
520
Qg (10V)(nC)：
30.70
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
1361
Coss (pF)：
167
Crss (pF)：
12.60
Qgd (nC)：
13
tD(on) (ns)：
29
tD(off) (ns)：
82
Trr (ns)：
231
Qrr (nC)：
2820
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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