FDB12N50

N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Lowgatecharge(Typ.22nC) •LowCrss(Typ.12pF) •Fastswitching •100avalan

FDB12N50

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D

FDB12N50

Optimized Switch for Discontinuous Current Mode Power Factor Correction

FDB12N50F

N-Channel MOSFET, FRFET 500V, 11.5A, 0.7廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhigh

FDB12N50F

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.7Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

FDB12N50F

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，11.5 A，700 mΩ，D2PAK

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET® MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功; •RDS(on) = 590mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•低栅极电荷（典型值 21nC) \n•低 Crss（典型值 11pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•提高了 dv/dt 处理能力\n•符合 RoHS 标准\n;

FDB12N50TM

功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，11.5 A，650 mΩ，D2PAK

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。; •RDS(on) = 550mΩ （典型值）@ VGS = 10V, ID = 6A\n•低栅极电荷（典型值 22nC） \n•低 Crss（典型值 11pF） \n•100% 经过雪崩击穿测试\n•符合 RoHS 标准\n;

FDB12N50TM

N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65廓

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Features •RDS(on)=0.55Ω(Typ.)@VGS=10V,ID=6A •Lowgatecharge(Typ.22nC) •LowCrss(Typ.12pF) •Fastswitching •100avalan

FDB12N50TM

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti

FDB12N50TM

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.65Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D