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AOW15S60	文件：333.53 Kbytes Page：6 Pages	600V 15A a MOS POWER Transistor General Description The AOW15S60 & AOWF15S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：333.53 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW15S60	文件：342.97 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 15A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.78Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：342.97 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW15S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 15A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOWF15S60	文件：333.53 Kbytes Page：6 Pages	600V 15A a MOS POWER Transistor General Description The AOW15S60 & AOWF15S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：333.53 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
CSP15S60S-A	文件：467.44 Kbytes Page：3 Pages	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：467.44 Kbytes 页数：3 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
CUHS15S60	文件：249.15 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial 文件：249.15 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
15
PD @ 25°C (W)：
208
10V：
290
Qg (10V)(nC)：
15.60
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
717
Coss (pF)：
58
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
6
tD(on) (ns)：
24.50
tD(off) (ns)：
84
Trr (ns)：
282
Qrr (nC)：
4500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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