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AOTF11C60P	文件：287.94 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：287.94 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF11C60P	文件：454.25 Kbytes Page：6 Pages	High Current Capability 文件：454.25 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF11C60PL	文件：454.25 Kbytes Page：6 Pages	High Current Capability 文件：454.25 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF11C60	文件：83.72 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：83.72 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

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更多AOTF11C60P供应商更新时间2025-10-7 10:21:00