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AOTF20S60L	文件：519.87 Kbytes Page：7 Pages	600V 20A a MOS General Description The AOT20S60 & AOB20S60 & AOTF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanch 文件：519.87 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF20S60L	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.62 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF20S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOV20S60	文件：77.21 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：77.21 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：344.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.199Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：344.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
14
PD @ 25°C (W)：
37.80
10V：
530
Qg (10V)(nC)：
19.80
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
tD(on) (ns)：
27.50
tD(off) (ns)：
87.50
Trr (ns)：
350
Qrr (nC)：
5700
Qualification：
Industrial
Tj max (°C)：
150

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