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AOTF20S60L	文件：519.87 Kbytes Page：7 Pages	600V 20A a MOS GeneralDescription TheAOT20S60&AOB20S60&AOTF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications.ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanch	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF20S60L	文件：296.62 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOV20S60	文件：77.21 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8PACKAGEMARKINGDESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V20AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：344.36 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=20A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.199Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOWF20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V20AaMOSTMPowerTransistor GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CF20S60CT	文件：502.83 Kbytes Page：3 Pages	20AHighPowerSchottkyBarrierRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CP20S60SG	文件：651.14 Kbytes Page：4 Pages	20ASurfaceMountTrenchSchottkyRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CS20S60CT-A	文件：468.67 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CSF20S60CT-A	文件：470.1 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC

详细参数

型号：
AOTF20S60L
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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