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AOW20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：344.36 Kbytes Page：2 Pages	丝印：I2PAK；Package：TO-262；isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.199Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：344.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW20S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOWF20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
CF20S60CT	文件：502.83 Kbytes Page：3 Pages	20A High Power Schottky Barrier Rectifier 文件：502.83 Kbytes 页数：3 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
CP20S60SG	文件：651.14 Kbytes Page：4 Pages	20A Surface Mount Trench Schottky Rectifier 文件：651.14 Kbytes 页数：4 Pages	CITC 竹懋科技	CITC

技术参数

Package：
TO262
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
20
PD @ 25°C (W)：
266
10V：
199
Qg (10V)(nC)：
19.80
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
tD(on) (ns)：
27.50
tD(off) (ns)：
87.50
Trr (ns)：
350
Qrr (nC)：
5700
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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更多AOW20S60供应商更新时间2025-12-11 16:03:00

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