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AOWF20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor GeneralDescription TheAOW20S60&AOWF20S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CF20S60CT	文件：502.83 Kbytes Page：3 Pages	20AHighPowerSchottkyBarrierRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CP20S60SG	文件：651.14 Kbytes Page：4 Pages	20ASurfaceMountTrenchSchottkyRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CS20S60CT-A	文件：468.67 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CSF20S60CT-A	文件：470.1 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CSP20S60S-A	文件：465.1 Kbytes Page：3 Pages	20ASurfaceMountLowBarrierDiode	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CUHS20S60	文件：246.87 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
FS20S60CT	文件：314.2 Kbytes Page：2 Pages	20.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
LV20S60E	文件：767.4 Kbytes Page：6 Pages	TO-277PlasticpackageSchottkydiode	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
MGBR20S60C	文件：121.98 Kbytes Page：3 Pages	DUALMOSGATEDBARRIERRECTIFIERS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC

详细参数

型号：
AOWF20S60
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 20A TO262F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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