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AOWF20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF20S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 20A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
CS20S60CT-A	文件：468.67 Kbytes Page：3 Pages	Super Low Barrier High Voltage Power Rectifier 文件：468.67 Kbytes 页数：3 Pages	CITC 竹懋科技	CITC
S20S60	文件：245.48 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(20A,30-60V) The D2PAK Power rectifier employs the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art devices have the following features: * Low Forward Voltage. * Low Switching noise. * High Current Capacity * Guarantee Reverse Avalanche. * Guard-Ring for Stress Protection 文件：245.48 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
S20S60CR	文件：175.77 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 35-60 VOLTS The I2PAK Power rectifier employs the SchottkyBarrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art devices have the following features: * LowForward Voltage. * LowSwitching noise. * High Current Capacity 文件：175.77 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

技术参数

Package：
TO262F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
20
PD @ 25°C (W)：
28
10V：
199
Qg (10V)(nC)：
19.80
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
tD(on) (ns)：
27.50
tD(off) (ns)：
87.50
Trr (ns)：
350
Qrr (nC)：
5700
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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