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AOV20S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 18A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS
AOV20S60	文件：77.21 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8 PACKAGE MARKING DESCRIPTION 文件：77.21 Kbytes 页数：1 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20S60	文件：344.36 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS=600V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =0.199Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-L 文件：344.36 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOWF20S60	文件：284.58 Kbytes Page：6 Pages	600V 20A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW20S60 & AOWF20S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：284.58 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

技术参数

Package：
DFN8x8-4L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
18
PD @ 25°C (W)：
276
10V：
250
Qg (10V)(nC)：
20
VGS(th) max (V)：
4.10
Ciss (pF)：
1038
Coss (pF)：
68
Crss (pF)：
2.10
Qgd (nC)：
7.60
tD(on) (ns)：
27.50
tD(off) (ns)：
87.50
Trr (ns)：
350
Qrr (nC)：
5700
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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