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AOWF11C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
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AOB11C60	文件：306.33 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES · Drain Current -ID= 11A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 600V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.44Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and AC-DC applications 文件：306.33 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多AOWF11C60供应商更新时间2021-9-14 10:50:00