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AOT11C60	文件：297.89 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.4Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D 文件：297.89 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT11C60	文件：79.62 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：79.62 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT11C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOT11C60P	文件：298.18 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 11A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.42Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：298.18 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT11C60P	文件：430.45 Kbytes Page：6 Pages	High Current Capability 文件：430.45 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOT11C60P	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS

技术参数

Status：
Full Production
Package：
TO220
Configuration：
Single - N
Vds/V：
600
Vgs/V：
30
Id(A)(25℃)：
11
Id(A)(75℃)：
9
Pd(W)(25℃)：
278
Rds (on) mΩ max(10V)：
400
Qg (nC)：
30

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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