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AOTF11N60

600V,11A N-Channel MOSFET

General Description The AOT11N60 & AOTF11N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabilit

文件:551.22 Kbytes 页数:6 Pages

AOSMD

万国半导体

AOTF11N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:295.16 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOTF11N60

高压MOSFET (500V - 1000V)

600V,11A N-Channel MOSFET

AOS

美国万代

AOW11N60

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:342.9 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

AOW11N60

600V,11A N-Channel MOSFET

文件:452.72 Kbytes 页数:5 Pages

AOSMD

万国半导体

AOWF11N60

TO362F PACKAGE MARKING DESCRIPTION

文件:92.94 Kbytes 页数:1 Pages

AOSMD

万国半导体

技术参数

  • Package:

    TO220F

  • Configuration:

    Single

  • Polarity:

    N

  • VDS (V):

    600

  • VGS (±V):

    30

  • ID @ 25°C (A):

    11

  • PD @ 25°C (W):

    50

  • 10V:

    650

  • Qg (10V)(nC):

    30.60

  • VGS(th) max (V):

    4.50

  • Ciss (pF):

    1656

  • Coss (pF):

    146

  • Crss (pF):

    11.20

  • Qgd (nC):

    9.60

  • tD(on) (ns):

    39

  • tD(off) (ns):

    92

  • Trr (ns):

    500

  • Qrr (nC):

    5900

  • Qualification:

    Industrial

  • ESD Diode:

    No

  • Tj max (°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多AOTF11N60供应商 更新时间2025-11-19 10:02:00