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AOTF12N60	文件：151.03 Kbytes Page：6 Pages	600V, 12A N-Channel MOSFET General Description The AOT12N60 & AOTF12N60 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabi 文件：151.03 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF12N60	文件：294.65 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.65 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF12N60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V,12A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOTF12N60FD	文件：279.55 Kbytes Page：6 Pages	600V, 12A N-Channel MOSFET General Description The AOT12N60FD/AOTF12N60FD have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabili 文件：279.55 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF12N60FD	文件：294.67 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：294.67 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF12N60FD	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
AOTF12N60FD_001	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 600V TO220F	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
50
10V：
550
Qg (10V)(nC)：
40
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
1751
Coss (pF)：
164
Crss (pF)：
13
Qgd (nC)：
17.90
tD(on) (ns)：
39
tD(off) (ns)：
122
Trr (ns)：
311
Qrr (nC)：
5200
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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