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AOTF12N30	文件：330.49 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5A N-Channel MOSFET GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF12N30	文件：288.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=300V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.42Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
12N30	文件：164.53 Kbytes Page：5 Pages	12A,300VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
AOT12N30	文件：305.51 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT12N30	文件：1.03218 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT12N30	文件：330.49 Kbytes Page：6 Pages	300V,11.5AN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT12N30/AOTF12N30isfabricatedusinganadvancedhighvoltageMOSFETprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinpopularAC-DCapplications.ByprovidinglowRDS(on),CissandCrssalongwithguaranteedavalanchecapabilitythisparts	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
MTN12N30FP	文件：508.31 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
T12N30	文件：1.03491 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TS12N30CS	文件：270.16 Kbytes Page：4 Pages	DC-DCConverterControlandSynchronousAceFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC

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