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AOTF15S65L	文件：295.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：295.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW15S65	文件：342.77 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION • Designed for use in switch mode power supplies and general purpose applications. FEATURES • Drain Current –ID= 15A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 650V(Min) • Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.78Ω (Max) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to- 文件：342.77 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW15S65	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	650V 15A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW15S65 & AOWF15S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：267.61 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOWF15S65	文件：267.61 Kbytes Page：6 Pages	650V 15A a MOS TM Power Transistor General Description The AOW15S65 & AOWF15S65 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche capability t 文件：267.61 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD

详细参数

型号：
AOTF15S65L
功能描述：
MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
aMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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