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AOTF20C60PL	文件：462.05 Kbytes Page：6 Pages	600V,20A N-Channel MOSFET 文件：462.05 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：83.33 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.25Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：314.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode 文件：97.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

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更多AOTF20C60PL供应商更新时间2021-9-14 10:50:00