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AOV15S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V); 600V 12A αMOS™ Power Transistor\n	AOSAlpha & Omega Semiconductor（AOS）美国万代美国万代半导体	AOS
AOV15S60	文件：77.19 Kbytes Page：1 Pages	DFN8X8 PACKAGE MARKING DESCRIPTION	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW15S60	文件：342.97 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES •DrainCurrent–ID=15A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=600V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.78Ω(Max) •100avalanchetested •MinimumLot-to-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW15S60	文件：333.53 Kbytes Page：6 Pages	600V15AaMOSPOWERTransistor GeneralDescription TheAOW15S60&AOWF15S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOWF15S60	文件：333.53 Kbytes Page：6 Pages	600V15AaMOSPOWERTransistor GeneralDescription TheAOW15S60&AOWF15S60havebeenfabricatedusingtheadvancedαMOSTMhighvoltageprocessthatisdesignedtodeliverhighlevelsofperformanceandrobustnessinswitchingapplications. ByprovidinglowRDS(on),QgandEOSSalongwithguaranteedavalanchecapabilityt	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
CSP15S60S-A	文件：467.44 Kbytes Page：3 Pages	SuperLowBarrierHighVoltagePowerRectifier	CITCChip Integration Technology Corporation 竹懋科技竹懋科技股份有限公司	CITC
CUHS15S60	文件：249.15 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
F15S60S	文件：244.94 Kbytes Page：5 Pages	STEALTHTMIIRectifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFH15S60S	文件：259.269 Kbytes Page：5 Pages	Stealth2Rectifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FFH15S60STU	文件：259.269 Kbytes Page：5 Pages	Stealth2Rectifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

技术参数

Package：
DFN8x8-4L
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
600
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
12
PD @ 25°C (W)：
208
10V：
360
Qg (10V)(nC)：
15.60
VGS(th) max (V)：
3.80
Ciss (pF)：
717
Coss (pF)：
58
Crss (pF)：
1.30
Qgd (nC)：
6
tD(on) (ns)：
24.50
tD(off) (ns)：
84
Trr (ns)：
282
Qrr (nC)：
4500
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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