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AOW20C60	文件：314.87 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.25Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：314.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOW20C60	文件：83.33 Kbytes Page：3 Pages	Plastic Encapsulated Device 文件：83.33 Kbytes 页数：3 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOW20C60	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET：N-Channel AOS pioneered the fab-lite model in the Trench Power MOSFET field, developing leading-edge products that are exclusively manufactured in state-of-the-art 8-inch fabs. Advanced proprietary silicon and packaging processes are designed in AOS’s U.S. headquarters and are then produced with its very effi	AOS 美国万代	AOS
DSA20C60PN	文件：97.51 Kbytes Page：4 Pages	High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode 文件：97.51 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS
DSA20C60PN	文件：278.56 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Rectifier Diode FEATURES · Very Low VF · Extremely Low Switching Losses · Improved Thermal Bahaviour · Low Noise Switching APPLICATIONS · Freewheeling Diode · Switching Power Supply (SPS) 文件：278.56 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
DSB20C60PN	文件：97.25 Kbytes Page：4 Pages	High Performance Schottky Diode Low Loss and Soft Recovery Common Cathode 文件：97.25 Kbytes 页数：4 Pages	IXYS 艾赛斯	IXYS

技术参数

Status：
Not For New Designs
Recommended Replacement：
AOW20C60P by Sept. 2014
Package：
TO262
Configuration：
Single - N
Vds/V：
600
Vgs/V：
30
Id(A)(25℃)：
20
Id(A)(75℃)：
11
Pd(W)(25℃)：
463
Rds (on) mΩ max(10V)：
250
Qg (nC)：
52

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更多AOW20C60供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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