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AOTF11N70	文件：223.79 Kbytes Page：6 Pages	700V,11A N-Channel MOSFET General Description The AOT11N70 & AOTF11N70 have been fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications. By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capabi 文件：223.79 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AOTF11N70	文件：296.31 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：296.31 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOTF11N70	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 700V,11A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AOWF11N70	文件：305.46 Kbytes Page：5 Pages	700V,11A N-Channel MOSFET 文件：305.46 Kbytes 页数：5 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
GC11N70F	文件：765.67 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The GC11N70F uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters 文件：765.67 Kbytes 页数：6 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD
GC11N70F	文件：2.47652 Mbytes Page：9 Pages	Power Factor Correction (PFC) Description The GC11N70 uses advanced super junction technology and design to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. This device is suitable for industry AC-DC SMPS requirement of PFC, AC/DC power conversion, and other industrial power application. Application ● Power Factor Corre 文件：2.47652 Mbytes 页数：9 Pages	GOFORD 谷峰半导体	GOFORD

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
Single
Polarity：
N
VDS (V)：
700
VGS (±V)：
30
ID @ 25°C (A)：
11
PD @ 25°C (W)：
50
10V：
870
Qg (10V)(nC)：
37.50
VGS(th) max (V)：
4.50
Ciss (pF)：
1793
Coss (pF)：
146
Crss (pF)：
10.50
Qgd (nC)：
15
tD(on) (ns)：
42
tD(off) (ns)：
103
Trr (ns)：
400
Qrr (nC)：
9000
Qualification：
Industrial
ESD Diode：
No
Tj max (°C)：
150

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