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AOTF15B60D	文件：664.05 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Alpha IGBT with Diode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF15B60D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 30A 50W TO220F	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
AOTF15B60D2	文件：727.1 Kbytes Page：9 Pages	600V, 15A Alpha IGBT TM with Diode GeneralDescription TheAlphaIGBTTMlineofproductsoffersbest-in-classperformanceinconductionandswitchinglosses,withrobustshortcircuitcapability.Theyaredesignedforeaseofparalleling,minimalgatespikeunderhighdV/dtconditionsandresistancetooscillations.Thesoftcopac	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF15B60D2	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 15A	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc. Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.	Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
GB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGB15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGB15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KD	文件：269.09 Kbytes Page：15 Pages	ULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. Benefits •BenchmarkEfficiencyforMotorControl. •RuggedTransien	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KDPBF	文件：821.1 Kbytes Page：15 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •LowVCE(on)NonPunchThroughIGBTTechnology. •LowDiodeVF. •10µsShortCircuitCapability. •SquareRBSOA. •UltrasoftDiodeReverseRecoveryCharacteristics. •PositiveVCE(on)TemperatureCoefficient. •Lead-Free Benefits •BenchmarkEfficiencyfor	IRF International Rectifier	IRF
IRGS15B60KDPBF	文件：830.08 Kbytes Page：16 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
AOTF15B60D
制造商：
Alpha \u0026 Omega Semiconductor Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Alpha IGBT™
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，15A
开关能量：
420µJ（开），110µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
21ns/73ns
测试条件：
400V，15A，20 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220F
描述：
IGBT 600V 30A 50W TO220F

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多AOTF15B60D供应商更新时间2025-5-28 14:00:00

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