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AON6926	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) 30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
AON6926	文件：375.46 Kbytes Page：10 Pages	30V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET 文件：375.46 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
BD6926FV	文件：383.86 Kbytes Page：6 Pages	Pre-Driver For 3Phase Blushless Motor 文件：383.86 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
L6926	文件：90.41 Kbytes Page：8 Pages	HIGH EFFICIENCY MONOLITHIC SYNCHRONOUS STEP DOWN REGULATOR DESCRIPTION The device is dc-dc monolithic regulator specifically designed to provide extremely high efficiency. L6926D supply voltage can be as low as 2V allowing its use in single Li-ion cell supplied applications. Output voltage can be selected by an external divider down to 0.6V. Duty Cycle 文件：90.41 Kbytes 页数：8 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
L6926	文件：119.37 Kbytes Page：11 Pages	HIGH EFFICIENCY MONOLITHIC SYNCHRONOUS STEP DOWN REGULATOR Description The device is dc-dc monolithic regulator specifically designed to provide extremely high efficiency. L6926 supply voltage can be as low as 2V allowing its use in single Li-ion cell supplied applications. Output voltage can be selected by an external divider down to 0.6V. Duty Cycle 文件：119.37 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
AON6926
功能描述：
MOSF 2N-CH 30V 44A/50A DFN5X6B
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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