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AON6934	文件：526.08 Kbytes Page：10 Pages	RoHS and Halogen-Free Compliant 文件：526.08 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6934	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET 2N-CH 30V 22A/30A 8DFN	AOS 美国万代	AOS
AON6934A	文件：638.53 Kbytes Page：10 Pages	30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL • Isolated DC/DC Converters in Telecom and In 文件：638.53 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6934A_V01	文件：638.53 Kbytes Page：10 Pages	30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS General Description • Latest Trench Power AlphaMOS (αMOS LV) technology • Very Low RDS(on) at 4.5VGS • Low Gate Charge • High Current Capability • RoHS and Halogen-Free Compliant Applications • DC/DC Converters in Computing, Servers, and POL • Isolated DC/DC Converters in Telecom and In 文件：638.53 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6934A	文件：583.44 Kbytes Page：10 Pages	30V Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS 文件：583.44 Kbytes 页数：10 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON6934A	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压MOSFET (12V - 30V) Alpha and Omega Semiconductor采用先进的300mm和200mm工艺技术制造出性能领先的低压MOSFET。这些产品为DCDC、负载开关、BLDC及电源等应用量身定做。	AOS 美国万代	AOS

详细参数

型号：
AON6934
功能描述：
MOS N CH DUAL 30V 28A 36A DFN5X6
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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