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AOP605	文件：188.26 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOP605/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.AOP605andAOP605Lareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AOP605LisH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605	文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605L	文件：188.26 Kbytes Page：7 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheAOP605/LusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON)andlowgatecharge.ThecomplementaryMOSFETsformahigh-speedpowerinverter,suitableforamultitudeofapplications.AOP605andAOP605Lareelectricallyidentical. -RoHSCompliant -AOP605LisH	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605_06	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605_09	文件：584.62 Kbytes Page：9 Pages	Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOP605L	文件：107.69 Kbytes Page：5 Pages	Plastic Encapsulated Device	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
605	文件：571.85 Kbytes Page：5 Pages	3M??Scotch짰TransparentFilmTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
605F	文件：299.98 Kbytes Page：4 Pages	DCaxialcompactfan	EBMPAPST ebm-papst
605F	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605FE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605H	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605HE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605J	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605JE	文件：119.98 Kbytes Page：1 Pages	TwoTerminalMetalElementCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
605SJR	文件：331.18 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountMetalPlateCurrentSense	OHMITE OHMITE MANUFACTURING COMPANY
A605ERU	文件：193.6 Kbytes Page：2 Pages	Single&DualOutput,6WUltra-WideInputRangeDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
ACE605	文件：491.5 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowDropout2ACMOSLDO	ACE ACE Technology Co., LTD.
AD605	文件：263.95 Kbytes Page：12 Pages	Dual,LowNoise,Single-SupplyVariableGainAmplifier GENERALDESCRIPTION TheAD605isalownoise,accurate,dual-channel,linear-in-dBvariablegainamplifier(VGA),optimizedforanyapplicationrequiringhighperformance,widebandwidthvariablegaincontrol.Operatingfromasingle5Vsupply,theAD605providesdifferentialinputsandunipolar	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司
AD605	文件：376.19 Kbytes Page：20 Pages	Dual,LowNoise,Single-SupplyVariableGainAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

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详细参数

型号：
AOP605
功能描述：
MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-PDIP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
-
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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