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AON7458	文件：530.05 Kbytes Page：6 Pages	250V,5A N-Channel MOSFET General Description The AON7458 is fabricated using an advanced high voltage MOSFET process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in popular AC-DC applications.By providing low RDS(on), Ciss and Crss along with guaranteed avalanche capability this device can be ado 文件：530.05 Kbytes 页数：6 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
AON7458	文件：300 bytes Page：1 Pages	中压MOSFET (40V - 400V) 250V,5A N-Channel MOSFET	AOS 美国万代	AOS
IRF7458	文件：120.3 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=8.0mohm, Id=14A) SMPS MOSFET Benefits • Ultra-Low Gate Impedance • Very Low RDS(on) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use • High Frequency Buck Converters for Computer Processo 文件：120.3 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
SI7458DP	文件：51.87 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel 20-V (D-S) Fast Switching MOSFET 文件：51.87 Kbytes 页数：4 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
STK7458	文件：180.22 Kbytes Page：5 Pages	OFFLINE SWITCHING OFFLINE SWITCHING 文件：180.22 Kbytes 页数：5 Pages	SANYO 三洋	SANYO

详细参数

型号：
AON7458
功能描述：
MOS N CH 250V 5A DFN3X3A_EP
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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