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AOT11S60L	文件：508.66 Kbytes Page：7 Pages	600V 11A a MOS General Description The AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60 have been fabricated using the advanced αMOSTM high voltage process that is designed to deliver high levels of performance and robustness in switching applications. By providing low RDS(on), Qg and EOSS along with guaranteed avalanche 文件：508.66 Kbytes 页数：7 Pages	AOSMD 万国半导体	AOSMD
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AOT11S60L	文件：304.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：304.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
AOT11S60L	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET (500V - 1000V) 600V 11A αMOS™ Power Transistor	AOS 美国万代	AOS

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更多AOT11S60L供应商更新时间2025-10-5 16:00:00