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AOT1100L	文件：297.58 Kbytes Page：6 Pages	100V N-Channel Rugged Planar MOSFET GeneralDescription TheAOT1100L/AOB1100Lusesarobusttechnologythatisdesignedtoprovideefficientandreliablepowerconversioneveninthemostdemandingapplications,includingmotorcontrol.WithlowRDS(ON)andexcellentthermalcapabilitythisdeviceisappropriateforhighcurrentsw	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AOT1100L	文件：303.58 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
AOT1100L	文件：1.64517 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司
1100	文件：303.42 Kbytes Page：2 Pages	1100SeriesDisposableEarPlugs	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
1100	文件：76.59 Kbytes Page：1 Pages	KNOB	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商
1100	文件：30.52 Kbytes Page：1 Pages	RFWIDEBANDTRANSFORMERS	XFMRS XFMRS，Inc.
1100	文件：28.73 Kbytes Page：2 Pages	VinylCorrosionProtectionTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
1100DRWCAK	文件：179.17 Kbytes Page：5 Pages	WaveguidetoCoaxialAdapter	AACAmerican Accurate Components, Inc. 美国精密部件公司美国精密元件有限公司
1100DRWHPCAK	文件：179.17 Kbytes Page：5 Pages	WaveguidetoCoaxialAdapter	AACAmerican Accurate Components, Inc. 美国精密部件公司美国精密元件有限公司
1100P	文件：28.73 Kbytes Page：2 Pages	VinylCorrosionProtectionTape	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司
A1100RW	文件：171.29 Kbytes Page：2 Pages	Miniature,10WDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)
AAT1100	文件：473.88 Kbytes Page：15 Pages	TRIPLE-CHANNELPWMCONTROLLER GeneralDescription TheAAT1100providesanintegratedtriple-channelpulse-width-modulation(PWM)solutionforthepowersupplyofDC-DCsystem;thisdeviceofferssystemengineertheflexibilitytocustom-makethepowersupplycircuitrytoaspecificapplication.Eachchannelcontainsitsown	ANALOGICTECHAdvanced Analogic Technologies 研诺科技研诺逻辑科技有限公司
AC1100	文件：63.5 Kbytes Page：1 Pages	100AmpCurrentTransformer	TALEMA Talema Group LLC
ACDBA1100-HF	文件：115.38 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACDBA1100LR-HF	文件：93.91 Kbytes Page：4 Pages	LowVFLowIRSMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACDBMS1100-HF	文件：460.74 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers Features -Highcurrentcapability. -Lowforwardvoltage. -Extremelylowthermalresistance. -Forsurfacemountapplication. -AEC-Q101Qualified	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACDBMT1100-HF	文件：97.62 Kbytes Page：4 Pages	LowProfileSMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACDBN1100-HF	文件：84.16 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
ACT1100	文件：220.31 Kbytes Page：3 Pages	StandardClockOscillators	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术
ACT1100HS	文件：148.91 Kbytes Page：2 Pages	ClockOscillators	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术

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详细参数

型号：
AOT1100L
功能描述：
MOSFET N CH 100V 92A TO220
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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详细参数

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