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AON7702	文件：213.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFETTMAON7702/LusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. -RoHSCompliant.	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7702A	文件：509.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologytominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications. Featur	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AON7702A	文件：163.28 Kbytes Page：6 Pages	Marking：7702A；Package：DFN-83x3；30V N-Channel MOSFET GeneralDescription SRFETTMAON7702AusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7702B	文件：316.46 Kbytes Page：7 Pages	30V N-Channel MOSFET GeneralDescription SRFETTMAON7702BusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7702L	文件：213.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFETTMAON7702/LusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. -RoHSCompliant.	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DMG7702SFG	文件：185.91 Kbytes Page：8 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable(Non-modulated)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
F7702	文件：260.37 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel20-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
AON7702
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
SRFET™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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