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AON7702A	文件：509.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologytominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhighenergypulseintheavalancheandcommutationmode.Thesedevicesarewellsuitedforhighefficiencyfastswitchingapplications. Featur	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AON7702A	文件：163.28 Kbytes Page：6 Pages	Marking：7702A；Package：DFN-83x3；30V N-Channel MOSFET GeneralDescription SRFETTMAON7702AusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7702B	文件：316.46 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET GeneralDescription SRFETTMAON7702BusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. ProductSummary V	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AON7702L	文件：213.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription SRFETTMAON7702/LusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. -RoHSCompliant.	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DMG7702SFG	文件：185.91 Kbytes Page：8 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable(Non-modulated)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
F7702	文件：260.37 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel20-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
AON7702A
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
30V N-Channel MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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