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AON7702L	文件：213.53 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription SRFETTMAON7702/LusesadvancedtrenchtechnologywithamonolithicallyintegratedSchottkydiodetoprovideexcellentRDS(ON),andlowgatecharge. ThisdeviceissuitableforuseasalowsideFETinSMPS,loadswitchingandgeneralpurposeapplications. -RoHSCompliant.	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
DMG7702SFG	文件：185.91 Kbytes Page：8 Pages	30VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFETWITHSCHOTTKYDIODE	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable(Non-modulated)	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
EE-SX7702M	文件：424.97 Kbytes Page：6 Pages	PhotomicrosensorwithSlimCable	OMRONOmron Electronics LLC 欧姆龙欧姆龙株式会社	OMRON
F7702	文件：260.37 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel20-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFETs	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF7702	文件：138.75 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702	文件：144.31 Kbytes Page：8 Pages	UltraLowOn-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：243.43 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-ResistanceP-ChannelMOSFETVerySmallSOICPackageLowProfile(1.2mm)AvailableinTape&ReelLead-FreeHalogen-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702GPBF	文件：233.57 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFETUltraLowOn-Resistance1.8VRated Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
IRF7702PBF	文件：184.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
AON7702L
制造商：
AOSMD
制造商全称：
Alpha & Omega Semiconductors
功能描述：
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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更多AON7702L供应商更新时间2025-4-30 15:28:00

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